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第三代半导体可靠性验证与评价

简要描述:第三代半导体作为一种理想的半导体材料,在新一代信息技术、新基建等领域得到了愈发广泛的应用。对于国内企业而言,要获取市场信任,检测是证明第三代半导体质量与可靠性的可行手段,同时也是提高其质量可靠性的重要保障。广电计量特意推出第三代半导体可靠性验证与评价服务,助力企业产品高效发展。

  • 厂商性质:工程商
  • 更新时间:2024-03-13
  • 访问次数:679

详细介绍

品牌广电计量服务区域全国
服务周期常规5-7个工作日服务资质CMA/CNAS
服务费用视具体项目而定

服务背景

在第三代半导体的代表中,碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)目前是技术较为成熟的材料,优越的性能使其在新一代运动通信、新能源并网、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域具有广泛的应用前景。SiCGaN器件凭借杰出的系统性能,给许多应用带来更高的效率和功率密度,以及更低的系统成本。然而,与所有的新技术一样,SiCGaN器件必须全面严格地遵循技术开发和产品质量检验程序。广电计量特意推出第三代半导体可靠性验证与评价服务,助力企业产品高效发展。

服务内容

广电计量围绕JEDEC系列标准,从三方面进行技术能力布局:

1、识别潜在的失效模式和失效机制,并根据目标寿命设计确认测试;

2、将样品置于适当的可靠性应力下,以加速激发潜在的失效机制;

3、完成加速应力后,对样品进行测试,以确定其性能是否仍可接受。

针对SiC分立器件和模块,广电计量参照JEDECAECQ101AQG324标准进行检测验证,能力不仅覆盖用于验证传统Si器件长期稳定性的所有方法,还开发了针对SiC器件不同运行模式的特定试验,见表1

1 SiC器件特定可靠性试验

试验试验条件
HV-H3TRBVDS=0.8VDSmax,Ta=85°C, RH=85%,t≥1000h
HTRB和负电压VDS=VDSmax,Tvj=175°C,VG =-10 V,t≥1000h
动态H3TRBVDS>0.5VDSmax,dVDS/dt(at DUT)>30V/ns, 15kHz≤f≤25 kHz,Ta=85°C, RH = 85%,t≥1000h
动态反向偏压(DRB)VDS≥0.8VDSmax,dVDS/dt (at DUT)=50V/ns,f ≥25 kHz,Ta= 25°C,t≥1000h
动态栅偏(DGS)次数≥1011,dVGS/dt =1 V/ns,f ≥50 kHz,VGSoff= VGSmin和VGSon= VGSmax,Ta=25°C
HTFBSiC体二极管双极退化

CaN器件的质量及可靠性验证以JEDECAECQ101为基准进行,见表2,并针对GaN器件和Si基器件之间的差异实施表3试验。

通用可靠性试验

试验试验条件
HTRBTj=150°C, VDS=0.8 VDSmax,t≥1000h
HTGBTj=150°C,VGS=±100%,t≥1000h
H3TRBTj=85°C,RH=85%,VDS=0.8 VDSmax,t≥1000h
TC-40°C to +125°C,≥1000cycles
HTSTa=150°C,t≥1000h
IOLDTj=100°C,2min on,2min off,≥5k cycles
ESDHBM+CDM
MSL3Ta=60°C,RH=60%,t=40h,3x reflow cycles

3 CaN器件特定试验

试验试验标准
开关加速耐久试验JEP122,JEP180
动态高温工作寿命
动态Rdon测试JEP173
持续开关测试JEP182

 









广电计量特意推出第三代半导体可靠性验证与评价服务,助力企业产品高效发展。

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