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AEC-Q101认证试验,半导体器件检测

简要描述:广电计量AEC-Q101认证试验,半导体器件检测在SiC第三代半导体器件的AEC-Q认证上具有丰富的实战经验,为您提供专业可靠的AEC-Q101认证服务,同时,我们也开展了间歇工作寿命(IOL)、HAST、H3TRB、HTRB、HTGB、高压蒸煮(Autoclave)试验服务,设备能力覆盖以SiC为第三代半导体器件的可靠性试验能力。

  • 厂商性质:工程商
  • 更新时间:2024-03-13
  • 访问次数:591

详细介绍

服务区域全国服务资质CMA/CNAS
服务周期2-3个月服务费用视具体项目而定

服务背景

AEC-Q101对对各类半导体分立器件的车用可靠性要求进行了梳理。AEC-Q101试验不仅是对元器件可靠性的国际通用报告,更是打开车载供应链的敲门砖。 广电计量AEC-Q101认证试验,半导体器件检测在SiC第三代半导体器件的AEC-Q认证上具有丰富的实战经验,为您提供专业可靠的AEC-Q101认证服务,同时,我们也开展了间歇工作寿命(IOL)、HAST、H3TRB、HTRB、HTGB、高压蒸煮(Autoclave)试验服务,设备能力覆盖以SiC为第三代半导体器件的可靠性试验能力。

随着技术的进步,各类半导体功率器件开始由实验室阶段走向商业应用,尤其以SiC为代表的第三代半导体器件国产化的脚步加快。但车用分立器件市场均被国外所把控,国产器件很难分一杯羹,主要的原因之一即是可靠性得不到认可。
测试周期
广电计量AEC-Q101认证试验,半导体器件检测周期:2-3个月,提供全面的认证计划、测试等服务
产品范围
二、三极管、晶体管、MOS、IBGT、TVS管、Zener、闸流管等半导体分立器件
测试项目
序号 测试项目 缩写 样品数/批 批数 测试方法
1 Pre- and Post-Stress Electrical and Photometric Test TEST 所有应力试验前后均进行测试 用户规范或供应商的标准规范
2 Pre-conditioning PC SMD产品在7、8、9和10试验前预处理 JESD22-A113
3 External Visual EV 每项试验前后均进行测试 JESD22-B101
4 Parametric Verification PV 25 3 Note A 用户规范
5 High Temperature
Reverse Bias
HTRB 77 3 Note B MIL-STD-750-1
M1038 Method A
5a AC blocking
voltage
ACBV 77 3 Note B MIL-STD-750-1
M1040 Test Condition A
5b High Temperature
Forward Bias
HTFB 77 3 Note B JESD22
A-108
5c Steady State
Operational
SSOP 77 3 Note B MIL-STD-750-1
M1038 Condition B(Zeners)
6 High Temperature
Gate Bias
HTGB 77 3 Note B JESD22
A-108
7 Temperature
Cycling
TC 77 3 Note B JESD22
A-104
Appendix 6
7a Temperature
Cycling Hot Test
TCHT 77 3 Note B JESD22
A-104
Appendix 6
7a
alt
TC Delamination
Test
TCDT 77 3 Note B JESD22
A-104
Appendix 6
J-STD-035
7b Wire Bond Integrity WBI 5 3 Note B MIL-STD-750
Method 2037
8 Unbiased Highly
Accelerated Stress
Test
UHAST 77 3 Note B JESD22
A-118
8
alt
Autoclave AC 77 3 Note B JESD22
A-102
9 Highly Accelerated
Stress Test
HAST 77 3 Note B JESD22
A-110
9
alt
High Humidity
High Temp.
Reverse Bias
H3TRB 77 3 Note B JESD22
A-101
10 Intermittent
Operational Life
IOL 77 3 Note B MIL-STD-750
Method 1037
10
alt
Power and
Temperature Cycle
PTC 77 3 Note B JESD22
A-105
11 ESD
Characterization
ESD 30 HBM 1 AEC-Q101-001
30 CDM 1 AEC-Q101-005
12 Destructive
Physical Analysis
DPA 2 1 NoteB AEC-Q101-004
Section 4
13 Physical
Dimension
PD 30 1 JESD22
B-100
14 Terminal Strength TS 30 1 MIL-STD-750
Method 2036
15 Resistance to
Solvents
RTS 30 1 JESD22
B-107
16 Constant Acceleration CA 30 1 MIL-STD-750
Method 2006
17 Vibration Variable
Frequency
VVF 项目16至19是密封包装的顺序测试。 (请参阅图例页面上的注释H.) JEDEC
JESD22-B103
18 Mechanical
Shock
MS     JEDEC
JESD22-B104
19 Hermeticity HER     JESD22-A109
20 Resistance to
Solder Heat
RSH 30 1 JESD22
A-111 (SMD)
B-106 (PTH)
21 Solderability SD 10 1 Note B J-STD-002
JESD22B102
22 Thermal
Resistance
TR 10 1 JESD24-3,24-4,26-6视情况而定
23 Wire Bond
Strength
WBS 最少5个器件的10条焊线 1 MIL-STD-750
Method 2037
24 Bond Shear BS 最少5个器件的10条焊线 1 AEC-Q101-003
25 Die Shear DS 5 1 MIL-STD-750
Method 2017
26 Unclamped
Inductive
Switching
UIS 5 1 AEC-Q101-004
Section 2
27 Dielectric Integrity DI 5 1 AEC-Q101-004
Section 3
28 Short Circuit
Reliability
Characterization
SCR 10 3 Note B AEC-Q101-006
29 Lead Free LF     AEC-Q005
 

 

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