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| 品牌 | 广电计量 |
|---|
服务范围
第三代半导体器件全参数测试 电力电子器件:MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半导体器件等分立器件，以及上述元件构成的功率模块。
检测标准
l AEC-Q101分立器件认证
l MIL-STD-750半导体器件试验⽅法
l IEC60747系列SemiconductorDevices,DiscreteDevices
l GB/T29332半导体器件-分立器件-第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
l AQG324功率模块⻋规认证
检测项目
| 试验类型 | 试验项⽬ |
| 静态参数 | BVDSS、IDSS、IGSS、VGS(th)、RDS(on)、VDS(on)、VSD、Rg、Cies、Coes、Cres、gfs、Vgs(pl)… |
| 动态参数 | td(on)、tr、td(off)、tf、Eon、Eoff、trr、Qrr、Irrm、dirr/dt、QG、QGC、QGE… |
| 其他参数 | Rth(j-c)、Unclamped Inductive Switching、RBSOA、SCSOA… |
相关资质
CNAS
服务背景
第三代半导体器件全参数测试 电力电子器件:功率器件在新能源汽车、智能电网等领域有广泛应用，其中，IGBT技术瓶颈不断被打破，第三代半导体功率器件也开始由实验室阶段步⼊商业应用。通常这些新型器件测试要求更⾼的电压和功率⽔平，更快的开关时间，对测试设备及人员技术要求⾼，在研发时间与成本的双重压力下，全参数测试成为不少制造商的难题。
我们的优势
广电计量积极布局新型IGBT及第三代半导体功率器件的测试业务，引进先进的测试技术，为功率半导体产业上下游企业提供器件全参数检测服务。同时，广电计量通过构筑检测认证与分析⼀体化平台，为客⼾提供器件可靠性验证及失效分析，帮助客户分析失效机理，指导产品设计及⼯艺改进。
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