技术干货| DDR SDRAM器件电参数测试程序开发研究

        DDR器件，即双倍数据速率同步动态随机存取存储器，是现代电子设备中不能缺少的关键组件。DDR器件以其高速度、大容量和低功耗的特性，在计算机、服务器、通信设备和消费电子等领域得到了广泛应用。随着科技的快速发展，DDR器件不断更新换代，性能要求也在不断提高，其电参数测试成为了确保产品质量和性能稳定的关键环节。

电性能参数简介

        电性能参数作为DDR器件在电路中行为特性的核心描述，反映了器件在不同工作状态下的综合表现。 DDR器件的电性能参数主要包括各状态工作电流、时钟频率、数据传输速率以及延迟时间等关键要素。这些参数对DDR器件的性能表现具有决定性作用。具体而言，工作电流的大小直接关系到DDR器件的应用环境及功耗水平；时钟频率和数据传输速率则共同决定了DDR器件的数据处理能力；而延迟时间则是影响系统响应速度和整体性能不可忽视的因素。

        值得注意的是，各代DDR器件在电性能参数和工作条件方面存在显著差异。为了深入了解这些差异，我们可以参考相关的器件手册。例如，下图展示了某DDR器件规格书的扉页。从规格书中可以获取详细的电性能参数和工作条件信息。这些信息对于正确选择和应用DDR器件至关重要。

图1

主要测试设备

        V93000-CTH

        设备特点：

        1. V93000-CTH是一台先进的超大规模集成电路自动化测试系统，专为数字逻辑芯片、混合信号芯片、片上系统SoC芯片等产品的测试而设计，测试范围广泛；

        2. 采用先进的Smartest软件平台，为用户提供强大的编程和测试功能，使得测试程序的开发更为快速和高效；

        3. 平台在数字测试通道数方面，V93000-CTH具有出色的可扩展性，可以从128通道扩展至2048通道（以128通道为最小扩展单位）；

        4. 系统支持多种测试速度，其搭配的PS 9G板卡最高可以提供9 Gbps的测试速率。此外，该设备还支持多种测试速度的数字通道板卡混插，从而满足不同的测试需求；

        5. 高效的测试效率：V93000-CTH具有出色的测试速度，与传统的测试设备相比，它能够更快地完成测试任务，从而提高测试效率。

测试案例

        在进行DDR测试开发之前，器件的各项参数指标是我们必须首要关注的要点。为确保测试的准确性和可靠性，我们必须选择适当的测试平台，并设计符合要求的测试夹具和测试板卡。这些工具的选择对测试结果的精确性和稳定性具有直接影响。此外，DDR的时序配置亦不可忽视，它涉及到器件初始化、激活、预充电以及内存读写等操作的时序控制，对于保障内存的稳定性和性能具有决定性作用。

        在DDR的各项电参数中，关键的DC参数包含了IDD0、IDD1（Operating one bank Current），IDD2(Precharge Current)，IDD3（Active Current），IDD4(Operating burst write/read current )，IDD5、IDD6（Refresh Current），IDD7(Operating bank interleave read current)和IDD8（Reset Current）等，其中最小的工作电流通常小于十毫安，最大的工作电流则可能达到几百毫安级。而关键的AC参数有tCK（System Clock），tAC（DQ output access time to/from CK/CK#），tDQSCK（DQS/DQS# rising to/from rising CK/CK#）等，其中系统时钟通常为纳秒级参数，关键参数如tDQSCK则为皮秒级延时参数。

        下组图为广电计量测试某型号DDR器件时的示意图，通过定制合适的测试板以及测试夹具，配合适当配置的ATE平台，对相应的DDR样品进行测试。

 DDR机台测试示意图

       下组图左侧为广电计量对某DDR器件关键参数测试数据，测试采用V93000-CTH完成；下组图右侧为该公司同型号的规格书当中电特性参数部分列表。

实机测试数据

规格书中电参数判限

测试能力

        广电计量引进国内外的测试技术和设备，搭建了DDR器件相关关键参数的测试开发能力。此外，广电计量也致力于发展数字逻辑芯片、混合信号芯片以及片上系统SoC芯片等多元化器件的测试能力，为我国芯片产业的多样化发展提供了强有力的验证保障，为芯片产品的顺利上市保驾护航。

广电计量半导体服务优势