您好!欢迎访问广电计量检测集团股份有限公司网站!
全国服务咨询热线:

18218862409

当前位置:首页 > 技术文章 > 技术科普 | 功率器件环境可靠性测试的加速老化物理模型

技术科普 | 功率器件环境可靠性测试的加速老化物理模型

更新时间:2024-04-11  |  点击率:175

        高温栅偏(High Temperature Gate Bias,HTGB)、高温反偏(High Temperature Reverse Bias,HTRB)、高温高湿反偏(High Humidity High Temperature Reverse Bias,H3TRB)等环境可靠性测试是进行功率器件寿命评估所的试验。由于不同标准下的试验条件并不相同,因而理解上述环境可靠性测试采用的加速老化物理模型是十分必要的。

        温度场、湿度场和电场是老化测试的加速因子。温度场的作用是为了增大电子或空穴迁移率,增大碰撞电离或暴露污染离子,进而加速栅氧化层或钝化层老化;电场的作用是为了增大电子迁移速率或积聚污染离子,进而加速栅氧化层或钝化层老化。湿度场的作用是为了增大金属离子电化学迁移现象的速率,加快电树枝的形成,进而加速钝化层老化。一般情况下是上述电场、温度场和湿度场对功率期间进行共同作用。

        本文基于JEDEC标准简要介绍了HTGB、HTRB、H3TRB试验所采用的加速老化模型与其适用范围。

HTGB加速老化模型

        HTGB试验对应器件栅氧化层失效的加速老化物理模型为时间相关介质击穿(Time-Dependent Dielectric Breakdown,TDDB),涉及到电场与温度场共同作用。在TDDB模型中,基于F-N隧穿效应的1/E模型与基于电偶极子交互作用的E模型以其良好的物理机理及拟合结果被广泛应用。


HTRB加速老化模型

        HTRB试验通过在高温下对器件施加阻断电压进而考核器件的终端和钝化层,同样涉及到电场与温度场的共同作用,其对应失效的加速老化物理模型为含电压加速因子的扩充Eyring模型与逆幂律模型。

H3TRB加速老化模型

        H3TRB考核功率半导体器件漏极在电应力以及高温高湿条件下的可靠性,同样涉及到温度场、湿度场与电场的共同作用,相对应的加速老化物理模型为Peck模型与HV-H3TRB模型。

广电计量半导体服务优势

        工业和信息化部“面向集成电路、芯片产业的公共服务平台"

        工业和信息化部“面向制造业的传感器等关键元器件创新成果产业化公共服务平台"

        国家发展和改革委员会“导航产品板级组件质量检测公共服务平台"

        广东省工业和信息化厅“汽车芯片检测公共服务平台"

        江苏省发展和改革委员会“第三代半导体器件性能测试与材料分析工程研究中心"

        上海市科学技术委员会“大规模集成电路分析测试平台"

        在集成电路及SiC领域是技术能力全面的第三方检测机构之一,已完成MCU、AI芯片、安全芯片等上百个型号的芯片验证,并支持完成多款型号芯片的工程化和量产。

        在车规领域拥有AEC-Q及AQG324全面服务能力,获得了近50家车厂的认可,出具近400份AEC-Q及AQG324报告,助力100多款车规元器件量产。



扫一扫,关注微信
地址:广州市天河区黄埔大道西平云路163号 传真:020-38698685
©2024 广电计量检测集团股份有限公司 版权所有 All Rights Reserved.  备案号:粤ICP备11014689号