技术介绍 | 功率半导体分立器件动态特性测试

　　在电力电子系统中，功率半导体分立器件的性能直接影响整体系统的效率和稳定性。因此，准确地测量和理解这些器件在各种工作条件下的动态特性是设计和应用的关键。双脉冲测试作为一种评估这些特性的标准方法，能够提供关于器件行为的深入洞察。
 

　　双脉冲测试简介
 

　　一、什么是双脉冲测试
 

　　双脉冲测试的基本原理是在受控的实验环境中，对MOSFET或IGBT施加两个短暂的脉冲信号。
 

　　第一个脉冲用于将器件从关闭状态切换到开启状态，以获得一定电流，而第二个脉冲则是用来模拟器件在实际应用中可能遇到的再次开启。
 

　　通过测量器件在两次脉冲之间的响应，包括开关时间、开关能量、电流和电压波形等，可以详细了解器件的动态性能。
 

　　二、为什么要进行双脉冲测试
 

　　双脉冲测试能够模拟功率半导体在电路中真实的工作状态，特别是开关过程中的动态行为，达到以下几种效果：
 

　　1、测定器件的开关时间、损耗以及其他关键性能参数，为设计高效和可靠的电力电子系统提供关键参考。
 

　　2、揭示器件在高速开关和大电流负载下的热行为和电压应力情况，以预测器件的长期稳定性和故障率。
 

　　3、优化器件的驱动策略，提高系统的整体性能和效率。
 

　　功率半导体分立器件测试能力
 

　　一、测试设备
 

　　我司具备完整的动态测试平台，适应各类型分立器件的开关、反向恢复测试。
 

　　设备特点：
 

　　●  针对SiC MOS及IGBT设计
 

　　●  800 V/150 A的工作范围
 

　　●  可自定义脉冲宽度

 

　　二、测试案例
 

　　1、Switching Time
 

　　2、Reverse Recovery
 

　　功率半导体分立器件测试服务介绍
 

　　广电计量引进国内外的测试技术和设备，具备功率半导体器件的全参数测试能力。
 

　　在第三代半导体领域，针对SiC功率器件的高压、高温、大功率等特点，现行的测试技术及设备已不能有效模拟出器件的工作寿命和偏置下的应力状态广电计量采用全新的硬件设计方案及制板工艺成功实现高达1000V的HV-H3TRB和HV-HAST和高达225°C的HTXB试验能力，充分验证SiC功率器件的极限工作稳定性，弥补了国内相关器件可靠性验证技术的空白。为国内三分之二的功率器件企业提供参数测试、可靠性试验及失效分析。
 

　　第三代半导体检测领域合作客户超过80家，样品数量三十余万件。成功案例：顺利为包括泰科天润、瞻芯电子、三安集成、清纯半导体、基本半导体、爱仕特等在内企业提供SBD、MOS的全套AEC-0101认证服务。